Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe

Л. А. Косяченко^a, О. Л. Маслянчук^a, С. В. Мельничук^a, В. М. Склярчук^a, О. В. Склярчук^a, Т. Аоки<sup>b

a</sup> Черновицкий национальный университет, 58012 Черновцы, Украина
^b Research Institute of Electronics, Shizuoka University, Johoku, Hamamatsu 432-8011, Japan

Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов $p$-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала $p$-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe.

Поступила в редакцию: 06.08.2009
Принята в печать: 20.10.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:6, 699–704

Реферативные базы данных:

•