RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 713–718 (Mi phts8831)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Люминесцентные и структурные свойства пленок ZnO–Ag

В. С. Хомченко, В. И. Кушниренко, В. П. Папуша, А. К. Савин, О. С. Литвин

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Пленки ZnO–Ag получены двухступенчатым методом на стеклянных и сапфировых подложках. Легирование серебром осуществлялось методом сублимации с близкого расстояния при атмосферном давлении. Толщина пленок варьировалась от 0.6 до 7 мкм. Для исследования структурных и излучательных свойств были использованы методы рентгеновской дифракции, атомно-силовой микроскопии, фотолюминисценции и кадотолюминесценции. Изучено влияние условий получения на свойства пленок. Найдено, что легирование серебром модифицирует кристаллическую структуру пленок – способствует ориентированному росту в направлении [0002] монокристаллических блоков размером 500–2000 нм. Улучшение кристаллического качества коррелирует с изменением излучательных характеристик пленок. Обсуждается природа центров свечения.

Поступила в редакцию: 23.06.2009
Принята в печать: 18.10.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 685–690

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026