Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Сравнительное изучение изменения электрических свойств кремния и карбида кремния при облучении протонами

В. В. Емцев^a, А. М. Иванов^a, В. В. Козловский^b, А. А. Лебедев^a, Г. А. Оганесян^a, Н. Б. Строкан<sup>a

a</sup> Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: Обсуждаются скорости удаления носителей заряда из зоны проводимости в FZ-Si и 4H-SiC $n$-типа, подвергнутых облучению протонами с энергией 8 и 15 МэВ при комнатной температуре. Приведены расчетные оценки скоростей образования первичных радиационных дефектов (пар Френкеля) в этих материалах, которые сравниваются с экспериментально определенными величинами. Протоны создают дефекты в каскадах соударений с участием атомов отдачи самой кристаллической решетки. Проведено сопоставление с аналогичными данными, полученными ранее при облучении FZ-Si и 4H-SiC $n$-типа электронами с энергией 900 кэВ, когда среди первичных радиационных дефектов абсолютно доминируют изолированные так называемые близкие пары Френкеля. Установлено, что модель образования $E$-центров, которая очень хорошо описывает уменьшение удельной электропроводности $n$-FZ-Si при электронном облучении, не подходит для интерпретации экспериментальных данных, полученных при протонном облучении. Относительно 4H-SiC ставится вопрос о существенном отжиге “простых” радиационных дефектов типа близких пар Френкеля во время облучения при комнатной температуре.

Поступила в редакцию: 22.04.2009
Принята в печать: 10.12.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 678–684

Реферативные базы данных:

•