Эта публикация цитируется в 7 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона

А. Н. Семенов, Я. В. Терентьев, Б. Я. Мельцер, В. А. Соловьев, Т. В. Попова, А. В. Нащекин, И. А. Андреев, Е. В. Куницына, А. А. Усикова, Ю. П. Яковлев, С. В. Иванов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$ с $x<$ 0.8, выращенные при температуре 500$^\circ$C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga$_x$In$_{1-x}$As$_y$Sb$_{1-y}$ ($x<$ 0.75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb.

Поступила в редакцию: 17.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 672–677

Реферативные базы данных:

•