Эта публикация цитируется в
1 статье
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Особенности подпорогового дефектообразования в монокристаллах CdS и CdS : Cu при рентгеновском облучении
Г. Л. Мирончукa,
Г. Е. Давидюкa,
В. В. Божкоa,
В. Кажукаускасb a Волынский национальный университет им. Леси Украинки, 43025 Луцк, Украина
b Вильнюсский университет,
LT-10222 Вильнюс, Литва
Аннотация:
Представлены экспериментальные результаты исследования влияния электронной радиации с энергией электронов 230 кэВ, рентгеновских квантов в энергиями 8.06, 17.5 кэВ и закалки образцов на образование и перестройку центров медленной рекомбинации неравновесных носителей заряда (так называемых
$r$-центров) в специально не легированных и легированных медью (N
$_{\mathrm{Cu}}\approx$ 10
$^{18}$ см
$^{-3}$) монокристаллах CdS. Показано, что за
$r$-центры ответственны дефекты в кадмиевой подрешетке кристалла, а именно вакансии V
$_{\mathrm{Cd}}$ и близкие к ним по параметрам дефекты Cu
$_{\mathrm{Cd}}$. При рентгеновском облучении как нелегированных, так и легированных Cu монокристаллов CdS имеет место подпороговое дефектообразование вакансий кадмия и Cu
$_{\mathrm{Cd}}$ в местах искаженных и ослабленных межатомных связей – “слабых местах” возле крупных структурных повреждений решетки технологического или иного происхождения. Начиная с температуры закалки 170
$^\circ$C заметное влияние на спектр центров медленной рекомбинации оказывают термообразованные V
$_{\mathrm{Cu}}$ и вторичные дефекты Cu
$_{\mathrm{Cd}}$. При температурах закалки больших 250
$^\circ$C заметный вклад в спектр оптического гашения фотопроводимости вносят термовведенные свободные (вдали от структурных повреждений)
$r$-центры – V
$_{\mathrm{Cd}}$ и Cu
$_{\mathrm{Cd}}$.
Поступила в редакцию: 07.07.2009
Принята в печать: 29.09.2009
Полный текст:
PDF файл (173 kB)
