Эта публикация цитируется в 11 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах

С. О. Слипченко, И. С. Шашкин, Л. С. Вавилова, Д. А. Винокуров, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, А. А. Подоскин, А. Л. Станкевич, Н. В. Фетисова, И. С. Тарасов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности.

Поступила в редакцию: 23.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 661–666

Реферативные базы данных:

•