Эта публикация цитируется в 13 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Об “избыточных” токах утечки в высоковольтных диодах Шоттки на основе 4H-SiC

П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова, Н. Д. Ильинская, О. И. Коньков, О. Ю. Серебренникова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изготовлены высоковольтные диоды Шоттки на основе 4H-SiC с никелевым барьером и охранной системой в виде “плавающих” планарных $p$–$n$-переходов. Анализ вольт-амперных характеристик, измеренных в широком диапазоне температур, показал, что ток в прямом направлении обусловлен термоэлектронной эмиссией, однако в обратном направлении ток “избыточен”. Выдвигается предположение о том, что обратный ток протекает локально, в местах выхода на границу Ni-SiC проникающих дислокаций. Вид обратных вольт-амперных характеристик позволил заключить, что электронный транспорт происходит по механизму монополярной инжекции (ток, ограниченный пространственным зарядом) с участием ловушек захвата.

Поступила в редакцию: 21.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 653–656

Реферативные базы данных:

•