Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Некоторые особенности получения фототока в одно- и многобарьерных фотодиодных структурах

А. В. Каримов, Д. М. Ёдгорова

Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Многобарьерные фотодиодные структуры в отличие от однобарьерных фотодиодных структур обладают эффектом увеличения фотогенерированных носителей тока во всем диапазоне рабочих напряжений, в то время как в фотодиодах с лавинным и инжекционным процессами появление фототока носит пороговый характер и связан с изменением темновых носителей тока. Предлагаемый способ интерпретации эффекта внутреннего фотоэлектрического усиления позволит произвести оценку экспериментальных значений коэффициентов усиления по току или по напряжению и определить наличие фотоэлектрического усиления в фотодиодных структурах независимо от их происхождения.

Поступила в редакцию: 14.05.2009
Принята в печать: 15.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 647–652

Реферативные базы данных:

•