RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 660–668 (Mi phts8822)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Структурные закономерности механизма фотогенерации свободных носителей заряда в рядах элементосодержащих полидисалицилиденазометинов

Е. Л. Александроваa, А. Г. Ивановb, Н. М. Геллерb, В. В. Шаманинb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт высокомолекулярных соединений РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы фотофизические свойства новых политетра- и полидисалицилиденазометинов (ПСАМ), содержащих в цепи атомы Si, Ge и Sn или атомы переходных металлов, а также некоторых других двухвалентных металлов. На основании данных ультрафиолетовых и инфракрасных спектров установлено, что в полимерах реализуется нековалентное трансаннулярное донорно-акцепторное взаимодействие N $\to$ M (M – полуметалл или металл), приводящее к образованию в полимерной цепи 6-членных циклов. В результате возникают в ПСАМ полисопряжения по “неклассическому” механизму. Благодаря множественным донорно-акцепторным взаимодействиям неподеленных электронных пар азометиновых групп с вакантными $d$-орбиталями в металлах полимеры обладают электропроводящими, светочувствительными и фотопроводящими свойствами. Фоточувствительность и квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда для ПСАМ близки к величинам, характерным для классических проводящих полимеров. Показано, что свойства ПСАМ определяются структурой азометинового фрагмента и акцепторными свойствами металла. Предложен механизм фотогенерации свободных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 23.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 634–641

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026