RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 654–659 (Mi phts8821)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Низкоразмерные системы

Зависимость порога стимулированной люминесценции нанокристаллов ZnO от их геометрической формы

А. Н. Грузинцевa, А. Н. Редькинa, C. Barthoub

a Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия
b Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, 75252 Paris Cedex 05, France

Аннотация: Исследовано влияние формы и размеров нанокристаллов оксида цинка на времена затухания спонтанной люминесценции и пороги возникновения стимулированной люминесценции в ультрафиолетовой области спектра. Показано, что нанокристаллы столбчатой формы с гексагональной огранкой имеют минимальный порог мощности оптического возбуждения для диаметров нанорезонаторов 100–200 нм, сравнимых с длиной поглощения возбуждающего света. Установлен различный механизм лазерной генерации нанокристаллов в форме призм и пирамид с гексагональным основанием. Изменение времени затухания и порогов лазерной генерации можно объяснить различием локальной плотности фотонных состояний в нанокристаллах правильной формы.

Поступила в редакцию: 12.10.2009
Принята в печать: 19.10.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 628–633

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026