RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 649–653 (Mi phts8820)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Низкоразмерные системы

Исследование и моделирование магнитной восприимчивости нитевидных кристаллов Si и Si$_{0.95}$Ge$_{0.05}$

В. М. Цмоцьa, П. Г. Литовченкоb, Н. Т. Павловскаяab, О. В. Павловскийa, И. П. Островскийc

a Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
b Институт ядерных исследований Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина
c Национальный университет ``Львовская политехника''

Аннотация: Исследована магнитная восприимчивость нитевидных кристаллов Si и твердого раствора Si$_{0.95}$Ge$_{0.05}$ разного диаметра. Установлено ее существенное отличие от объемного материала. Сделано предположение о наличии в образцах парамагнитных центров, часть которых образует магнитные нанокластеры. Для объяснения полученных экспериментальных результатов предложена модель в рамках ланжевеновского суперпарамагнетизма. Построена функция распределения кластеров по величине их магнитных моментов. Определены наиболее вероятные размеры и магнитные моменты кластеров.

Поступила в редакцию: 01.10.2009
Принята в печать: 22.10.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 623–627

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026