Эта публикация цитируется в 24 статьях

Низкоразмерные системы

Остаточная фотопроводимость в гетероструктурах InAs/AlSb с двойными квантовыми ямами

В. И. Гавриленко, А. В. Иконников, С. С. Криштопенко, А. А. Ластовкин, К. В. Маремьянин, Ю. Г. Садофьев, К. Е. Спирин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Исследованы эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах InAs/AlSb с покрывающим слоем GaSb с двумерным электронным газом в двойных квантовых ямах InAs при $T$ = 4.2 K. Из фурье-анализа осцилляций Шубникова–де-Гааза определены концентрации электронов в каждой из квантовых ям при различных длинах волн подсветки и прямым образом продемонстрирована сильная несимметричность структуры, вызванная встроенным электрическим полем. Выполнены самосогласованные расчеты энергетического профиля двойной квантовой ямы и определены значения концентраций ионизованных доноров с обеих сторон от ям, что позволило конкретизировать предложенный ранее механизм биполярной остаточной фотопроводимости в таких структурах.

Поступила в редакцию: 20.08.2009
Принята в печать: 30.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 616–622

Реферативные базы данных:

•