П. А. Дементьев, М. С. Дунаевский, Ю. Б. Самсоненко, Г. Э. Цырлин, А. Н. Титков, “Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5,страницы 636

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Низкоразмерные системы

Вольт-амперные характеристики легированных кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs с защитным покрытием AlGaAs, заращённых нелегированным слоем GaAs

П. А. Дементьев^a, М. С. Дунаевский^a, Ю. Б. Самсоненко^abc, Г. Э. Цырлин^abc, А. Н. Титков^a

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук", 195220 Санкт-Петербург, Россия
^c Институт аналитического приборостроения РАН, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Предлагается метод измерения продольных вольт-амперных характеристик полупроводниковых нитевидных нанокристаллов, сохраняющих контакт с поверхностью роста. Метод основан на создании устойчивого проводящего контакта вершины индивидуального нитевидного нанокристалла с зондом атомно-силового микроскопа. Показано, что по мере увеличения силы прижима зонда к вершине нитевидного нанокристалла происходит прокалывание покрывающего ее естественного окисла и достигается прямой контакт зонда с материалом нанокристалла. Для избежания изгиба с последующим обламыванием нитевидных нанокристаллов необходимо их фиксировать в пространстве. В настоящей работе фиксация нитевидных нанокристаллов GaAs осуществлялась за счет их частичного заращивания слоем GaAs. Для обособления нанокристаллов в заращивающей матрице они покрывались нанометровым слоем AlGaAs. В работе изучалось легирование кремнием нитевидных нанокристаллов GaAs. Вид полученных вольт-амперных характеристик показывает, что введение кремния приводит к $p$-типу проводимости нанокристаллов, в отличие от $n$-типа объемных кристаллов GaAs, получаемых методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Наблюдаемое отличие объясняется присутствием в процессе пар–жидкость–кристалл при получении нитевидных нанокристаллов конечной фазы жидкофазной эпитаксии, для которой характерно формирование $p$-типа проводимости при выращивании объемных кристаллов GaAs(Si).

Поступила в редакцию: 21.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009