Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al–$p$-SiGe, Au–$n$-SiGe

И. Г. Атабаев, Н. А. Матчанов, М. У. Хажиев, В. Пак, Т. М. Салиев

Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, 100084 Ташкент, Узбекистан

Аннотация: Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au–$n$-SiGe и Al–$p$-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний $(D_{\mathrm{ss}})$. Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний $D_{\mathrm{ss}}$ и содержанием германия в твердом растворе Si$_{1-x}$Ge$_x$.

Поступила в редакцию: 04.08.2009
Принята в печать: 29.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 605–609

Реферативные базы данных:

•