RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 628–630 (Mi phts8816)

Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния

Л. О. Олимов

Андижанский государственный университет им. З.М. Бабура, 710000 Андижан, Узбекистан

Аннотация: Экспериментально изучена адсорбция щелочных металлов и их влияние на электронные свойства межзеренных границ в объеме поликристаллического кремния. Полученные результаты показывают, что в процессе диффузии и адсорбции атомов щелочных металлов вдоль межзеренных границ происходит рост потенциального барьера.

Поступила в редакцию: 18.06.2009
Принята в печать: 15.09.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 602–604

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026