Эта публикация цитируется в 12 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности проводимости $\gamma$-облученных кристаллов TlGaTe$_2$ с наноцепочечной структурой

Р. М. Сардарлы^a, О. А. Самедов^a, А. П. Абдуллаев^b, Э. К. Гусейнов^a, Ф. Т. Салманов^a, Г. Р. Сафарова<sup>a

a</sup> Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, AZ1141 Баку, Азербайджан
^b Институт физики НАН Азербайджана, AZ1141 Баку, Азербайджан

Аннотация: Изучены температурные зависимости электропроводности $\sigma(T)$ и вольт-амперные характеристики одномерных монокристаллов TlGaTe$_2$, подвергнутных различным дозам $\gamma$-облучения, в обеих геометриях эксперимента – по наноцепочкам, параллельным тетрагональной оси кристалла $(\sigma\parallel)$ и перпендикулярно им $(\sigma\perp)$. Показано, что зависимость $\sigma(T)$, измеренная в омической области вольт-амперной характеристики, имеет прыжковый характер и описывается в приближении Мотта. Рассчитаны значения плотности локализованных состояний $N_{\mathrm{F}}$, энергии активации $E_{\mathrm {a}}$, длины прыжков $R$, разность между энергиями состояний $\Delta E$ вблизи уровня Ферми и концентрации глубоких ловушек $N_t$. Исследованы также вольт-амперные характеристики области более резкого роста тока. Показано, что эта область вольт-амперных характеристик описывается в рамках термополевого эффекта Пула–Френкеля. Определены значения концентрации ионизованных центров $N_f$, длина свободного пробега $\lambda$, значения коэффициента Френкеля $\beta$, форма потенциальной ямы в исходных и облученных (250 Мрад) кристаллах TlGaTe$_2$. Показано, что анизотропия проводимости изменяется при радиационном воздействии, приводящем к трансляционной упорядоченности наноцепочек.

Поступила в редакцию: 12.10.2009
Принята в печать: 20.10.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 585–589

Реферативные базы данных:

•