Эта публикация цитируется в 5 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$

Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович

Институт проблем химической физики Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия

Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A$^{\mathrm{II}}$B$^{\mathrm{VI}}$: теллуриде кадмия $n$- и $p$-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах $<$ 30 нс) и медленной (при временах $>$ 50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации.

Поступила в редакцию: 28.09.2009
Принята в печать: 29.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 575–580

Реферативные базы данных:

•