RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 5, страницы 594–599 (Mi phts8811)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении

В. Я. Дегода, А. А. Софиенко

Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет

Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках.


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 568–574

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026