Электронные и оптические свойства полупроводников

Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания

В. А. Майоров^a, А. М. Яфясов^a, В. Б. Божевольнов^a, В. Ф. Раданцев<sup>b

a</sup> Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет
^b Уральский государственный университет, 620083 Екатеринбург, Россия

Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см$^2$, толщиной от 0.5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6.3 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ (300 K).

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 564–567

Реферативные базы данных:

•