Эта публикация цитируется в 18 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu$_2$O$_3$

С. В. Ордин, А. И. Шелых

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Исследованы характеристики окисла Lu$_2$O$_3$ и их изменения, вызванные дефектностью состава. Дефектами являются анионные вакансии, которые возникают при частичном восстановлении окисла. Они проявляют особенности, характерные для квантовых объектов, и существенно влияют на спектр оптического пропускания, характер электропроводности (изолятор–полупроводник) и на порядок величины диэлектрической проницаемости $\varepsilon$ (11.2 $\to$ 125). Рассмотрены особенности структуры вакансий в окислах и исследовано их влияние на поляризацию, электропроводность и решеточные колебания. Исследования проводились в диапазонах температур 200–900 K, длин волн 0.03–50 мкм, частот тока 10$^2$–10$^5$ Гц. Интерес в микроэлектронике к окислам редкоземельных металлов вызван их большей в несколько раз по сравнению с SiO$_2$ диэлектрической проницаемостью и тем самым перспективностью замены этими окислами SiO$_2$.

Поступила в редакцию: 27.08.2009
Принята в печать: 08.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:5, 558–563

Реферативные базы данных:

•