И. С. Вирт, Т. П. Шкумбатюк, И. В. Курило, И. А. Рудый, И. Е. Лопатинский, Л. Ф. Линник, В. В. Тетёркин, А. Г. Федоров, “Осаждение тонких пленок Bi$_2$Te$_3$ и Sb$_2$Te$_3$ методом импульсной лазерной абляции”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4,страницы 564

Эта публикация цитируется в 14 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Осаждение тонких пленок Bi$_2$Te$_3$ и Sb$_2$Te$_3$ методом импульсной лазерной абляции

И. С. Вирт^ab, Т. П. Шкумбатюк^b, И. В. Курило^c, И. А. Рудый^c, И. Е. Лопатинский^c, Л. Ф. Линник^d, В. В. Тетёркин^d, А. Г. Федоров^e

^a Rzeszów University
^b Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
^c Национальный университет ``Львовская политехника''
^d Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^e Институт монокристаллов Национальной академии наук Украины, 61001 Харьков, Украина

Аннотация: Методом импульсной лазерной абляции получены пленки Bi$_2$Te$_3$ и Sb$_2$Te$_3$. Пленки осаждались в вакууме (1 $\cdot$ 10$^{-5}$ мм рт. ст.) на подогретые до температуры 453–523 K монокристаллические подложки Al$_2$O$_3$ (0001), BaF$_2$ (111) и свежие сколы KCl или NaCl (001). Толщина пленок составляла 10–1500 нм. Структура объемного материала мишеней и пленок исследовалась методом рентгеновской дифрактометрии и дифракции электронов высоких энергий на просвет соответственно. Электрические свойства пленок измерялись в температурном интервале 77–300 K. Показано, что пленки обладают полупроводниковыми свойствами. На температурных зависимостях удельного сопротивления наблюдается несколько активационных участков, энергии которых зависят от толщины пленки и размеров кристаллитов.