С. Н. Шамин, В. Р. Галахов, В. И. Аксенова, А. Н. Карпов, Н. Л. Шварц, З. Ш. Яновицкая, В. А. Володин, И. В. Антонова, Т. Б. Ежевская, J. Jedrzejewski, E. Savir, I. Balberg, “Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4,страницы 550

Эта публикация цитируется в 8 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO$_2$ и Si

С. Н. Шамин^a, В. Р. Галахов^a, В. И. Аксенова^b, А. Н. Карпов^c, Н. Л. Шварц^c, З. Ш. Яновицкая^c, В. А. Володин^c, И. В. Антонова^c, Т. Б. Ежевская^c, J. Jedrzejewski^d, E. Savir^d, I. Balberg^d

^a Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, 620041 Екатеринбург, Россия
^b Уральская государственная юридическая академия, 620041 Екатеринбург, Россия
^c Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
^d Racah Institute of Physics, Hebrew University, 91904 Jerusalem, Israel

Аннотация: Методами ультрамягкой рентгеновской эмиссионной и инфракрасной спектроскопии исследована композитная структура Si/SiO$_2$, полученная напылением из источников Si и SiO$_2$ на кремниевую подложку. Разнесение источников на значительное расстояние (96 мм) позволило варьировать состав слоя вдоль образца в широких пределах, от почти чистого SiO$_2$ до Si. Рентгеновские эмиссионные $L_{2,3}$-спектры диагностировали в полученных слоях аморфный кремний $a$-Si и оксид кремния SiO$_2$. Инфракрасные спектры показали в полученных слоях наличие нанокристаллов кремния. Определено изменение содержания Si/SiO$_2$ вдоль пластины и проведено сравнение данных, полученных упомянутыми выше методами, с результатами расчета состава слоя и измерения толщин слоев профилометром.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 10.09.2009