Эта публикация цитируется в 3 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Светоизлучающие наноструктуры Si, формирующиеся в SiO$_2$ при облучении быстрыми тяжелыми ионами

Г. А. Качурин^a, С. Г. Черкова^a, В. А. Скуратов^b, Д. В. Марин^a, А. Г. Черков<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.

Аннотация: Слои SiO$_2$ с избыточным имплантированным Si облучали ионами Xe, 130 МэВ дозами 3 $\cdot$ 10$^{12}$–10$^{14}$ см$^{-2}$. После 3 $\cdot$ 10$^{12}$ см$^{-2}$ электронная микроскопия выявила $\sim$10$^{12}$ см$^{-2}$ выделений размерами 3–4 нм. С ростом дозы их размеры и число возрастали. В спектрах фотолюминесценции обнаружена полоса 660–680 нм, интенсивность которой зависела от дозы. После пассивации водородом при 500$^\circ$C полоса исчезала, но появлялась новая вблизи 780 нм, характерная для нанокристаллов Si. На основании совокупности всех данных сделан вывод, что полоса 660–680 нм обусловлена несовершенными кремниевыми нанокристаллами, растущими в треках ионов Xe благодаря высоким ионизационным потерям. Немонотонная зависимость интенсивности фотолюминесценции от дозы объясняется различием между диаметрами треков и каскадов смещений, ответственных за дефектообразование.

Поступила в редакцию: 06.08.2009
Принята в печать: 07.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 525–530

Реферативные базы данных:

•