Эта публикация цитируется в 2 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Исследование перехода эпитаксиальной пленки Ge от послойного к трехмерному росту в гетероструктурах с напряженными подслоями SiGe

Ю. Н. Дроздов, А. В. Новиков, М. В. Шалеев, Д. В. Юрасов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Представлены результаты исследований особенностей перехода пленки Ge от двумерного к трехмерному росту в различных типах гетероструктур SiGe/Si(001) с захороненными напряженными слоями. Показано, что осаждение напряженного планарного слоя SiGe приводит к существенному уменьшению критической толщины двумерного роста Ge. Обнаружено, что влияние слоев SiGe на рост пленки Ge оказывается весьма существенным не только в случае роста непосредственно на напряженном слое SiGe, но и при заращивании его ненапряженным слоем Si до толщин порядка 3.5 нм. Показано, что модель, в которой влияние захороненных напряженных слоев SiGe учитывается посредством введения феноменологического параметра “глубины затухания эффективной упругой энергии”, позволяет с хорошей точностью описать экспериментальные результаты.

Поступила в редакцию: 15.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 519–524

Реферативные базы данных:

•