Эта публикация цитируется в 5 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние низкотемпературных отжигов на фотолюминесценцию кремниевых нанокластерных структур

Б. Н. Романюк, В. П. Мельник, В. Г. Попов, И. М. Хацевич, А. С. Оберемок

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований спектров фотолюминесценции кремниевых нанокластерных структур, полученных после высокотемпературного отжига (1150$^\circ$C) осажденных на Si пленок SiO$_x$ и последующих низкотемпературных отжигов при температуре 450$^\circ$C в разных средах. Показано, что интенсивность фотолюминесценции существенно возрастает после низкотемпературного отжига, причем максимальный эффект наблюдается после отжига в смеси кислорода и азота. При этом спектр фотолюминесценции сдвигается в длинноволновую область и имеет форму широкой полосы с максимумом в области 880 нм. Механизмы, ответственные за увеличение интенсивности фотолюминесценции при низкотемпературном отжиге в смеси кислорода и азота, связаны с реконструкцией границ раздела Si/SiO$_2$ и формированием на этих границах энергетических уровней, которые участвуют в рекомбинации неравновесных носителей заряда. В квазихимических реакциях создания таких уровней принимают участие атомы кислорода и азота, а начальными центрами реакций являются ненасыщенные валентные связи на границах раздела нанокластеров Si и матрицы SiO$_2$.

Поступила в редакцию: 06.05.2009
Принята в печать: 03.06.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 514–518

Реферативные базы данных:

•