Эта публикация цитируется в 4 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Физическая модель процесса старения МОП-структуры

М. А. Булушева, В. Д. Попов, Г. А. Протопопов, А. В. Скородумова

Московский инженерно-физический институт (государственный университет)

Аннотация: Представлена физическая модель процесса старения МОП-структуры. По результатам проведенных ускоренных испытаний найден энергетический параметр напряженной МОП-структуры – энергетический уровень напряженных связей.

Поступила в редакцию: 31.08.2009
Принята в печать: 09.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 508–513

Реферативные базы данных:

•