Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик–полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn
Аннотация:
Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик-(люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4–5) $\cdot$ 10$^{-12}$ см$^2$/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0.2–0.25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний – более или порядка (6.7–8.3) $\cdot$ 10$^{-21}$ см$^2$; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, $\sim$2.5 $\cdot$ 10$^{13}$ см$^{-2}$, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ эВ$^{-1}$. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0.9–1.35 эВ в зависимости от режима возбуждения.
Поступила в редакцию: 21.07.2009 Принята в печать: 07.09.2009
Полный текст:
PDF файл (533 kB)
