А. Г. Казанский, Е. И. Теруков, П. А. Форш, J. P. Kleider, “Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4,страницы 513

Эта публикация цитируется в 13 статьях

Аморфные, стеклообразные, пористые, органические, микрокристаллические полупроводники, полупроводниковые композиты

Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой

А. Г. Казанский^a, Е. И. Теруков^b, П. А. Форш^a, J. P. Kleider^c

^a Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
^b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^c Laboratoire de Genie Electrique de Paris, CNRS UMR 8507; SUPELEC; UPMC Univ Paris 06; Univ Paris-Sud; 11 rue Joliot-Curie Plateau de Mouion, F-91192 Gif-sur-Yvette Cedex, France

Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в “дефектной” области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда.

Поступила в редакцию: 15.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009