RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4, страницы 507–512 (Mi phts8798)

Эта публикация цитируется в 36 статьях

Низкоразмерные системы

Энергия связи экситона в полупроводниковых квантовых точках

С. И. Покутний

Институт металлофизики им. Г. В. Курдюмова НАН Украины, 03680 Киев, Украина

Аннотация: В адиабатическом приближении, а также в рамках модифицированного метода эффективной массы, в котором приведенная эффективная масса экситона $\mu=\mu(a)$ является функцией радиуса a полупроводниковой квантовой точки, получено выражение для энергии связи экситона $E_{\mathrm{ex}}(a)$ в квантовой точке. Обнаружен эффект существенного увеличения энергии связи экситона $E_{\mathrm{ex}}(a)$ в квантовых точках селенида и сульфида кадмия с радиусами $a$, сравнимыми с боровскими радиусами экситона $a_{\mathrm{ex}}$, относительно энергии связи экситона в монокристаллах CdSe и CdS (в 7.4 и 4.5 раз соответственно).

Поступила в редакцию: 10.06.2009
Принята в печать: 10.09.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 488–493

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026