Эта публикация цитируется в 5 статьях

Низкоразмерные системы

Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO$_2$: структурные, оптические, электронные свойства

И. В. Антонова^a, В. А. Скуратов^b, J. Jedrzejewski^c, I. Balberg<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
^b Объединенный центр ядерных исследований, 141980 Дубна, Россия
^c Racah Institute of Physics, Hebrew University, Jerusalem, Israel

Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO$_2$, содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям – формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами.

Поступила в редакцию: 03.08.2009
Принята в печать: 07.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 482–487

Реферативные базы данных:

•