Низкоразмерные системы

Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки

А. Н. Король, И. В. Носенко

Национальный университет пищевых технологий Министерства образования и науки Украины, 01033 Киев, Украина

Аннотация: Рассматривается гетероструктура, в которой квантовая яма образована в обедненном слое барьера Шоттки. Рассчитана и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики данной структуры. Показано, что в широком диапазоне типичных значений параметров рассматриваемой структуры наблюдается N-образная резко нелинейная вольт-амперная характеристика с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления, причем ее контрастность достигает высоких значений.

Поступила в редакцию: 01.07.2009
Принята в печать: 03.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 478–481

Реферативные базы данных:

•