RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4, страницы 486–490 (Mi phts8794)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Низкоразмерные системы

Особенности фотолюминесценции ионов эрбия в структурах с аморфными и кристаллическими нанокластерами кремния в матрице диоксида кремния

С. А. Дьяков, Д. М. Жигунов, В. Ю. Тимошенко

Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова

Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства структур аморфных и кристаллических кремниевых нанокластеров со средними размерами не более 4 нм в легированной эрбием матрице диоксида кремния. Установлено, что при увеличении концентрации ионов Er$^{3+}$ от 10$^{19}$ до 10$^{21}$ см$^{-3}$ времена жизни их фотолюминесценции на длине волны 1.5 мкм уменьшаются от 5.7 до 2.0 мс в образцах с аморфными нанокластерами, в то время как для структур с нанокристаллами указанные времена лежат в диапазоне от 3.5 до 1.5 мс. Укорочение времен жизни эрбиевой фотолюминесценции с ростом концентрации ионов объясняется эффектами концентрационного тушения и влиянием остаточных постимплантационных дефектов, в то время как различие времен для образцов с аморфными и кристаллическими нанокластерами интерпретируется как проявление разных вероятностей обратной передачи энергии от ионов Er$^{3+}$ к твердотельной матрице в обсуждаемых типах структур.

Поступила в редакцию: 02.09.2009
Принята в печать: 10.09.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 467–471

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026