Эта публикация цитируется в 5 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Механизм протекания тока в омическом контакте к $n$-4H-SiC

Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе, Ф. Ю. Солдатенков

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Изучалось протекание тока в омическом контакте In–$n$–4H-SiC ($n\approx$ 3 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-3}$) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер $\sim$0.1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной $\sim$2 $\cdot$ 10$^{-2}$ А/см$^2$ $\cdot$ K.

Поступила в редакцию: 18.08.2009
Принята в печать: 07.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 463–466

Реферативные базы данных:

•