А. А. Андронов, Ю. Н. Ноздрин, А. В. Окомельков, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, “Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4,страницы 476

Эта публикация цитируется в 1 статье

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Стимулированное излучение на длине волны 2.5 мкм, при комнатной температуре, из оптически возбужденных структур на основе Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te

А. А. Андронов^a, Ю. Н. Ноздрин^a, А. В. Окомельков^a, В. С. Варавин^b, Н. Н. Михайлов^b, Г. Ю. Сидоров^b

^a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
^b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия

Аннотация: Обсуждаются основные требования к оптимизации структур на основе КРТ (Cd$_x$ Hg$_{1-x}$Te) для увеличения длины волны стимулированного излучения из них при оптической накачке. Экспериментально продемонстрировано возникновение стимулированного излучения в диапазоне 2–2.5 мкм при комнатной температуре на оптимизированных КРТ-структурах, выращенных на GaAs-подложках с помощью метода молекулярно- пучковой эпитаксии. Полученные экспериментальные данные являются первыми результатами по наблюдению стимулированного излучения на этих длинах волн при комнатной температуре из КРТ-структур. Измеренные при этом значения коэффициента усиления в активной среде являются весьма большими и доходят до значений 50 см$^{-1}$, что позволяет надеяться на возможность дальнейшего продвижения в длинноволновую область.

Поступила в редакцию: 04.08.2009
Принята в печать: 04.09.2009