Эта публикация цитируется в 2 статьях

Полупроводниковые структуры, границы раздела и поверхность

Радиационные повреждения контактных структур с диффузионными барьерами, подвергнутых $\gamma$-облучению $^{60}$Co

А. Е. Беляев^a, Н. С. Болтовец^b, Р. В. Конакова^a, В. В. Миленин^a, Ю. Н. Свешников^c, В. Н. Шеремет<sup>a

a</sup> Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев
^b ЗАО "Элма Малахит", Москва, Зеленоград
^c Научно-исследовательский институт "Орион", Киев

Аннотация: Рассмотрено влияние ионизирующего излучения $\gamma$-квантами $^{60}$Co в диапазоне доз 10$^4$–2 $\cdot$ 10$^9$ рад на контакты металл–полупроводник Au–ZrB$_x$–AlGaN/GaN и Au–TiB$_x$–Al–Ti–$n$-GaN, а также диодов Шоттки Au–ZrB$_x$–$n$-GaN. Контакты с диффузионными барьерами TiB$_x$ и ZrB$_x$ при воздействии ионизирующей радиации не деградируют до доз $\lesssim$ 10$^8$ рад. Диоды Шоттки Au–ZrB$_x$–$_n$-GaN остаются стабильными в диапазоне доз 10$^4$–10$^6$ рад. С увеличением дозы облучения $\gtrsim$ 10$^8$ рад возрастает дефектность контактной металлизации, сопровождающаяся образованием сквозных пор, что способствует скоплению кислорода на границах раздела Au–ZrB$_x$ (TiB$_x$) и возрастанию массопереноса атомов контактообразующих слоев. При этом наблюдается радиационная деградация диодов Шоттки. Проанализированы возможные механизмы радиационного повреждения контактных структур с диффузионными барьерами.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 448–456

Реферативные базы данных:

•