Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe

Ю. Ф. Ваксман^a, Ю. А. Ницук^a, В. В. Яцун^a, А. С. Насибов^b, П. В. Шапкин<sup>b

a</sup> Одесский национальный университет им. И. И. Мечникова
^b Физический институт им. П. Н. Лебедева Российской академии наук, г. Москва

Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Fe, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0.4–3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация железа в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Fe в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии железа в кристаллах ZnSe при температурах 1120 – 1320 K. При 1270K коэффициент диффузии железа составляет 3 $\cdot$ 10$^{-10}$ см$^2$/с.

Поступила в редакцию: 13.08.2009
Принята в печать: 15.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 444–447

Реферативные базы данных:

•