RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4, страницы 458–462 (Mi phts8789)

Эта публикация цитируется в 6 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS(O) с позиций теории непересекающихся зон

Н. К. Морозова, Н. Д. Данилевич

Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»

Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS(O).
Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS(O), аналогичные ZnS–ZnSe(O). В присутствии растворенного кислорода O$_{\mathrm{S}}$ обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент $H$ и $L$, которые обязаны переходам из E$_+$- и E$_-$-подзон расщепленной зоны проводимости CdS(O) на уровень рекомбинации E$_{\mathrm{SA}}$. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [O$_{\mathrm{S}}$].
Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS–ZnSe(O) не обнаруживает $H$-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS(ZnSe).
По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода $E_0$, уменьшение ширины запрещенной зоны $E_g$ от [O$_{\mathrm{S}}$], зонная модель CdS(O).
Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS–ZnSe(O).

Поступила в редакцию: 11.09.2009
Принята в печать: 12.09.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 438–443

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026