Эта публикация цитируется в 15 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Фотолюминесценция в области длин волн 1.5–1.6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов

А. А. Шкляев^ab, А. В. Латышев^ab, М. Ичикава<sup>c

a</sup> Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
^b Новосибирский государственный университет
^c Quantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bynkyo-ku, Tokyo 113-8656, Japan

Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1.5–1.6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации.

Поступила в редакцию: 25.08.2009
Принята в печать: 07.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 432–437

Реферативные базы данных:

•