RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4, страницы 445–451 (Mi phts8787)

Эта публикация цитируется в 11 статьях

Электронные и оптические свойства полупроводников

Влияние примесей Fe, Cu, Si на формирование спектров излучения в объемных кристаллах ZnO

М. М. Мездрогинаa, Э. Ю. Даниловскийa, Р. В. Кузьминa, Н. К. Полетаевa, И. Н. Трапезниковаa, М. В. Чукичевb, Г. А. Бордовскийc, А. В. Марченкоc, М. В. Еременкоd

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
c Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195021 Санкт-Петербург, Россия

Аннотация: На основании результатов комплексных исследований (спектров фотолюминесценции, рентгеновской флуоресценции и инфракрасной спектроскопии) показаны особенности формирования спектров излучения при изменении типа и концентрации фоновых примесей (Fe, Cu, Si), появляющихся как при выращивании, так и при обработке объемных кристаллов шлифованием и полировкой. Особое внимание уделено концентрации и типам связей водорода – основной примеси, препятствующей формированию кристаллов с $p$-типом проводимости.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 426–431

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026