RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 4, страницы 440–444 (Mi phts8786)

Эта публикация цитируется в 1 статье

Электронные и оптические свойства полупроводников

Влияние дефектности структуры кристаллов $\gamma$-La$_{2(1-x)}$Nd$_{2x}$S$_3$ на их спектроскопические свойства

А. А. Мамедов

Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, AZ 1143 Баку, Азербайджан

Аннотация: Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов $\gamma$-Ln$_2$S$_3$ (Ln – редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня $^4F_{3/2}$ ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня $^4F_{3/2}$ ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны $\lambda$ = 0.53 мкм.

Поступила в редакцию: 13.04.2009
Принята в печать: 03.06.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 421–425

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026