Атомная структура и неэлектронные свойства полупроводников

Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs на стадии охлаждения

В. А. Кагадей^a, Е. В. Нефёдцев<sup>b

a</sup> Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск
^b Институт сильноточной электроники СО РАН, г. Томск

Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда, активной легирующей примеси и распределения электрического поля в приповерхностном слое гидрогенизированного $p$-GaAs в процессе охлаждения образца после окончания этапа введения водорода. Показано, что вид конечных концентрационных профилей водородсодержащих частиц и распределение внутреннего электрического поля в гидрогенизированном слое $p$-GaAs зависят от температурно-временно́го режима охлаждения образца. Степень влияния скорости охлаждения на конечное состояние гидрогенизированного слоя увеличивается по мере уменьшения уровня легирования полупроводника. Приводятся и обсуждаются закономерности формирования конечного состояния системы водород-кристалл в зависимости от скорости охлаждения образца.

Поступила в редакцию: 05.02.2009
Принята в печать: 09.09.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:4, 413–420

Реферативные базы данных:

•