Эта публикация цитируется в 29 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Напряженные структуры GaAsSb/GaAs с квантовыми ямами для лазеров диапазона 1.3 мкм

Ю. Г. Садофьев^a, N. Samal^a, Б. А. Андреев^b, В. И. Гавриленко^b, С. В. Морозов^b, А. Г. Спиваков^b, А. Н. Яблонский<sup>b

a</sup> Trion Technology, Tempe, AZ, USA
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Найдены оптимальные режимы роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaAs$_{1-x}$Sb$_x$/GaAs и показано, что за счет увеличения встраивания сурьмы эффективная длинноволновая фотолюминесцения при $T$ = 300 K может быть получена вплоть до $\lambda$ = 1.3 мкм. С ростом мощности возбуждения, кроме характерного для гетероперехода II рода коротковолнового сдвига максимума интенсивности фотолюминесценции, обнаружено возникновение коротковолновой линии, связываемой с прямыми в реальном пространстве оптическими переходами, что подтверждается результатами исследования спектров фотолюминесценции с субпико- и наносекундным временным разрешением при импульсном возбуждении.

Поступила в редакцию: 15.07.2009
Принята в печать: 24.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 405–412

Реферативные базы данных:

•