Эта публикация цитируется в 10 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Использование кластерных вторичных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС

М. Н. Дроздов, Ю. Н. Дроздов, Д. Н. Лобанов, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF.SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs$^+$ для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1–1.5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge$_2^-$, Ge$_3^-$ вместо Ge$_1^-$ и Ge$^+$ позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях.

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 401–404

Реферативные базы данных:

•