RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3, страницы 413–417 (Mi phts8782)

Эта публикация цитируется в 9 статьях

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Метод сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структур на основе кремния

В. П. Кузнецовa, З. Ф. Красильникb

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Анализируются возможности разных методов получения монокристаллических структур на основе кремния. Обсуждаются особенности и преимущества метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии.

Поступила в редакцию: 15.07.2009
Принята в печать: 24.08.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 396–400

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026