Эта публикация цитируется в 1 статье

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах по их тепловому излучению

В. В. Богатыренко

Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева НАН Украины, г. Киев

Аннотация: Предложен бесконтактный метод измерения скорости поверхностной рекомбинации в кремниевых пластинах, основанный на изучении зависимости мощности теплового излучения кремния за краем собственного поглощения от длины волны возбуждающего света из области собственного поглощения. Скорость поверхностной рекомбинации при различных обработках поверхности определялась по отношению интенсивностей теплового излучения пластин в диапазоне длин волн 3–5 мкм, возникающего при возбуждении двумя лазерными диодами с длинами волн 863 и 966 нм. Измеренные значения скоростей при 230$^\circ$C составили порядка 10$^4$ см/с после механической полировки и 10$^3$ см/с после травления в CP-4A. Рассмотрены вопросы применимости метода и погрешности измерения в зависимости от параметров пластин и источников света.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 392–395

Реферативные базы данных:

•