В. П. Кузнецов, М. В. Кузнецов, З. Ф. Красильник, “Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3,страницы 402

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 K

В. П. Кузнецов^ab, М. В. Кузнецов^a, З. Ф. Красильник^b

^a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
^b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород

Аннотация: Анализируются диодные структуры Si : Er/Si для наблюдения при 300 K электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм. Структуры выращивались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Обсуждаются пути повышения интенсивности свечения.

Поступила в редакцию: 15.07.2009
Принята в печать: 24.08.2009