Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние радиационных дефектов на электрические потери в кремниевых диодах, облученных электронами

Н. А. Поклонский^a, Н. И. Горбачук^a, С. В. Шпаковский^b, С. Б. Ластовский^c, A. Wieck<sup>d

a</sup> Белорусский государственный университет, г. Минск
^b ОАО "ИНТЕГРАЛ"
^c Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению
^d Ruhr-Universität Bochum, D-44780 Bochum, Deutschland

Аннотация: Исследованы кремниевые диоды с $p^+$–$n$-переходом, облученные электронами энергией 3.5 МэВ, флюенсами от 10$^{15}$ до 4 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$. Установлено, что зависимость тангенса угла электрических потерь $\operatorname{tg}\delta$ от частоты $f$ переменного тока в интервале $f$ = 10$^2$–10$^6$ Гц является немонотонной функцией с двумя экстремумами: минимумом и максимумом. Трансформация зависимостей $\operatorname{tg}\delta(f)$ при увеличении флюенса облучения и увеличении температуры отжига диодов обусловлена изменением сопротивления $n$-Si (базовой области диодов), вызванным накоплением (при увеличении флюенса) или исчезновением и перестройкой (при отжиге) радиационных дефектов. Роль инерционности процесса перезарядки дефектов в формировании $\operatorname{tg}\delta(f)$ невелика.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009

 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 380–384

Реферативные базы данных:

•