А. Л. Закгейм, Г. Л. Курышев, М. Н. Мизеров, В. Г. Половинкин, И. В. Рожанский, А. Е. Черняков, “Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии”, Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3,страницы 390

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Исследование тепловых процессов в мощных InGaN/GaN флип-чип светодиодах с использованием инфракрасной тепловизионной микроскопии

А. Л. Закгейм^a, Г. Л. Курышев^b, М. Н. Мизеров^a, В. Г. Половинкин^b, И. В. Рожанский^c, А. Е. Черняков^a

^a Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
^b Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
^c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург

Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования температурных полей, возникающих в мощных AlGaInN-гетеросветодиодах в результате саморазогрева при больших рабочих токах. Использованный метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволил провести непосредственное измерение распределения температуры по площади $p$–$n$-перехода с высоким пространственным разрешением $\sim$3 мкм при абсолютной погрешности измерений $\sim$2 K. Показано, что в мощных светодиодах при высоких уровнях возбуждения могут возникать значительные температурные градиенты, обусловленные неоднородностью в распределении плотности тока по площади активной области. Этот эффект необходимо учитывать как при конструировании излучающих кристаллов, так и при оценке допустимых режимов эксплуатации. Метод инфракрасной тепловизионной микроскопии позволяет также выявлять микродефекты, вызывающие каналы токовой утечки и снижающие надежность работы приборов.

Поступила в редакцию: 30.07.2009
Принята в печать: 20.08.2009