RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3, страницы 383–389 (Mi phts8777)

Эта публикация цитируется в 20 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO$_3$

О. В. Анисимовa, В. И. Гаманb, Н. К. Максимоваa, Ю. П. Найденb, В. А. Новиковb, Е. Ю. Севастьяновa, Ф. В. Рудовb, Е. В. Черниковa

a Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском государственном университете
b Томский государственный университет, 634050 Томск, Россия

Аннотация: Исследованы микроструктура и свойства легированных золотом тонких пленок WO$_3$ (WO$_3$ : Au) до и после напыления на их поверхность дисперсного слоя Au. Установлено, что в слоях WO$_3$ : Au появляется фаза $\gamma$-WO$_{2.72}$ и существенно увеличивается проводимость пленок. Напыление дисперсного слоя золота способствует возрастанию отклика сенсоров на воздействие NO$_2$ в несколько раз. В предположении о наличии в пленках мостиков проводимости между кристаллитами WO$_3$ получены аналитические выражения для концентрационных и временных зависимостей отклика сенсоров при воздействии диоксида азота. Анализ экспериментальных данных с помощью этих выражений позволил определить значения энергий активации процессов адсорбции и десорбции молекул NO$_2$ на поверхность WO$_3$ : Au, а также теплоту адсорбции.

Поступила в редакцию: 28.05.2009
Принята в печать: 08.07.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 366–372

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026