RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 2010, том 44, выпуск 3, страницы 377–382 (Mi phts8776)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Физика полупроводниковых приборов

Оценка надежности полупроводникового излучателя ИЛПН-134

О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, А. В. Иванов, К. В. Курносов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов

Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва

Аннотация: Исследована надежность излучателя ИЛПН-134. Предложена методика, позволяющая оценить, какой вклад в общий процесс деградации излучателя ИЛПН-134 вносят по отдельности процессы старения лазерного диода и оптической системы. Определены значения энергии активации деградационных процессов, стандартные отклонения и скорости отказов лазерного диода и оптической системы.

Поступила в редакцию: 29.04.2009
Принята в печать: 04.05.2009


 Англоязычная версия: Semiconductors, 2010, 44:3, 359–365

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026